A系列部分耗尽硅面垒型辐射探测器

主要应用 高分辨率带电粒子谱测量。

特殊配置 特殊配置的带电粒子探测器可应特殊要求提供。

A系列宣传册（A4）

安装布局 + 订购时必须指定安装座。A 这是一个“环形安装座”；即硅晶片在其环上，没有输出连接器。这种不常使用的布局可应特殊要求提供。B 背面的 Microdot 连接器。C 背面的 BNC 连接器。尺寸以毫米为单位。对于 1500 或 2000 mm 深的探测器，在 Y 尺寸上增加 1.5 mm。探测器尺寸 (mm 2 ) W ( 标称 ) A 型 B 型 后 Microdot C 型 后 BNC X Y X Y Z X Y Z 025 5.6 15.2 3.7 16.7 12.3 7.1 16.7 12.3 15.9 050 8.0 15.2 3.7 16.7 12.3 7.1 16.7 12.3 15.9 100 11.3 22.0 3.7 23.6 12.3 7.1 23.6 12.3 15.9 150 13.8 22.0 3.7 23.6 12.3 7.1 23.6 12.3 15.9 300 19.5 27.1 3.7 28.6 12.3 7.1 28.6 12.3 15.9 450 23.9 30.5 3.7 32.0 12.3 7.1 32.0 12.3 15.9 公差 ±0.5 ±0.3 ±0.3 ±0.3 ±0.3 ±0.3 ±0.3 ±0.3 ±0.3

订购信息 + 订购时必须指定安装座 除非另有说明，否则提供 B 安装座。** 型号的前三位数字表示使用标准 ORTEC 电子设备和 0.5- μ s 整形时间常数时，241 Am，5.486-MeV α的总系统分辨率 FWHM。β分辨率近似于脉冲发生器宽度 FWHM。§需要特殊订单。注: 兼容 Alpha 套件的探测器:ENS- 系列 ( 购买新系统时含安装和测试 )、ENS8 系列 ( 新系统的 8 包备件 )、B 接口的 ULTRA-AS 和低本底 R系列探测器型号保证与 Alpha 套件产品 (DUO、MEGA、ARIA、ENSEMBLE) 兼容。所有其他探测器都需要经过特殊批准以保证其兼容性及指标规格。有效面积 (mm 2 ) 保证最大分辨率 * (keV) 最小耗尽深度 1000 µm α β 型号 . 25 13 14 6 6 A-013-025-1000 A-014-025-1000 50 14 15 7 8 A-014-050-1000 A-015-050-1000 100 14 15 7 8 A-014-100-1000 A-015-100-1000 150 15 16 9 10 A-015-150-1000 A-016-150-1000 300 17 18 13 14 A-017-300-1000 A-018-300-1000 450 18 19 13 14 A-018-450-1000 A-019-450-1000 有效面积 (mm 2 ) 保证最大分辨率 * (keV) 最小耗尽深度 1500 µm§ α β 型号 . 25 14 16 9 11 A-014-025-1500 A-016-025-1500 50 16 18 11 13 A-016-050-1500 A-018-050-1500 100 17 19 12 14 A-017-100-1500 A-019-100-1500 150 18 20 13 15 A-018-150-1500 A-020-150-1500 300 20 23 15 18 A-020-300-1500 A-023-300-1500 450 21 26 16 21 A-021-450-1500 A-026-450-1500 有效面积 (mm 2 ) 保证最大分辨率 * (keV) 最小耗尽深度 2000 µm§ α β 型号 . 25 16 11 A-016-025-2000 50 17 12 A-017-050-2000 100 18 13 A-018-100-2000 150 19 14 A-019-150-2000 300 22 17 A-022-300-2000

注: 兼容 Alpha 套件的探测器:ENS- 系列 ( 购买新系统时含安装和测试 )、ENS8 系列 ( 新系统的 8 包备件 )、B 接口的 ULTRA-AS 和低本底 R系列探测器型号保证与 Alpha 套件产品 (DUO、MEGA、ARIA、ENSEMBLE) 兼容。所有其他探测器都需要经过特殊批准以保证其兼容性及指标规格。