测量方法
产品概述与应用
将 AIX G5 WW C 定义为化合物半导体沉积系统，面向下一代 SiC 功率电子应用。
写明该系统以批量外延的高吞吐量结合单片晶圆控制，目标是在同一设备方案中兼顾产能和外延层质量。
官方列出的特点包括：同类领先的吞吐量和较低的单位晶圆拥有成本。
官方列出的特点包括：批量配置中的单片晶圆性能，用于获得优良的外延层质量。
官方列出的特点包括：兼容硅晶圆厂的自动化能力，以支持 SiC 功率市场爬坡。
官方列出的特点包括：带热晶圆转移的 Planetary 反应器、高效气体利用、晶圆级温度控制和 cassette-to-cassette 晶圆搬运。
官方列出的特点包括：8x150 mm 配置、单片晶圆旋转、用于批内均匀性的 AutoSat 功能，以及 SECS-GEM 工厂接口。
技术参数
| 型号 | AIX G5 WW C |
|---|---|
| 应用材料 | SiC |
| 工艺方向 | 批量外延与单片晶圆控制 |
| 配置 | 8x150 mm，单片晶圆旋转 |
| 自动化 | cassette-to-cassette wafer handling；SECS-GEM factory interface |
| 原文 | High throughput batch epitaxy with single wafer control |
应用咨询
联系科米瑞 咨询仪器选型与报价
提供产品名称、型号、数量和使用要求，我们将协助确认参数与配置。