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CVP21 WEP CVP21 晶圆掺杂剖面仪
产品与应用图片。
实验室仪器

WEP CVP21 晶圆掺杂剖面仪

WEP Control

CVP21 Wafer Profiler 通过 Electrochemical Capacitance Voltage Profiling 测量半导体层中的掺杂剖面。

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测量方法

产品概述与应用

产品说明

CVP21 Wafer Profiler 通过 Electrochemical Capacitance Voltage Profiling 测量半导体层中的掺杂剖面。

  • 设备用于半导体研发或生产中的 ECV-Profiling / CV-Profiling。
  • 系统支持从 4*2 mm² 样品到完整 8 inch 晶圆尺寸的标准样品范围。
  • 浓度分辨率范围为 <10¹² cm⁻³ 到 >10²¹ cm⁻³,深度分辨率为 1 nm 到 100 µm,具体取决于材料类型和样品质量。

规格参数

品牌 WEP Control
型号 CVP21
产品类型 Wafer Profiler
占地尺寸 60(W)*80(D)*195(H)cm
样品范围 4*2 mm² to complete 8 inch wafer
浓度分辨率 <10¹² cm⁻³ to >10²¹ cm⁻³
深度分辨率 1 nm to 100 µm
技术概览

技术参数

品牌WEP Control
型号CVP21
产品类型Wafer Profiler
占地尺寸60(W)*80(D)*195(H)cm
样品范围4*2 mm² to complete 8 inch wafer
浓度分辨率<10¹² cm⁻³ to >10²¹ cm⁻³
深度分辨率1 nm to 100 µm
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