集成等离子刻蚀和沉积的 多腔系统

集成等离子刻蚀和沉积的 多腔系统 高产量 等离子蚀刻和沉积腔体可以与多达两个片盒站组合，用于 到200 mm晶片的高产量工艺。研发 三到六个端口传送腔室可用于集成ICP等离子刻蚀机、RIE刻蚀机、原子层沉积系统、PECVD和ICPECVD沉积设备，以满足研发的要求。样品可以通过预真空室和/或真空片盒站加载。SENTECH多腔系统包括等离子刻蚀和/或沉积腔体、传送腔室、预真空室或片盒站。传送腔室包括传送机械手臂，可适用于三至六个端口。可以使用多达两个片盒站来增加产量。传送腔室可以配备多种选择。用于研发的SENTECH多腔系统通过图形用户界面控制软件操作。强大的控制软件可用于工业领域高产量的多腔系统。高产量的多腔系统 用于研发的多腔系统 ICP-RIE等离子刻蚀腔体可与两个片盒站组合用于200mm晶片的高产量并行工艺。ICP-RIE，RIE，PECVD和ICPECVD等腔体可与预真空室，片盒站等组合使用，以满足研发的特殊要求。想获取更多信息，请点击此处。想获取更多信息，请点击此处。集成等离子刻蚀和沉积的 多腔系统 高产量 等离子蚀刻和沉积腔体可以与多达两个片盒站组合，用于 到200 mm晶片的高产量工艺。研发 三到六个端口传送腔室可用于集成ICP等离子刻蚀机、RIE刻蚀机、原子层沉积系统、PECVD和ICPECVD沉积设备，以满足研发的要求。样品可以通过预真空室和/或真空片盒站加载。SENTECH多腔系统包括等离子刻蚀和/或沉积腔体、传送腔室、预真空室或片盒站。传送腔室包括传送机械手臂，可适用于三至六个端口。可以使用多达两个片盒站来增加产量。传送腔室可以配备多种选择。用于研发的SENTECH多腔系统通过图形用户界面控制软件操作。强大的控制软件可用于工业领域高产量的多腔系统。高产量 等离子蚀刻和沉积腔体可以与多达两个片盒站组合，用于 到200 mm晶片的高产量工艺。研发 三到六个端口传送腔室可用于集成ICP等离子刻蚀机、RIE刻蚀机、原子层沉积系统、PECVD和ICPECVD沉积设备，以满足研发的要求。样品可以通过预真空室和/或真空片盒站加载。SENTECH多腔系统包括等离子刻蚀和/或沉积腔体、传送腔室、预真空室或片盒站。传送腔室包括传送机械手臂，可适用于三至六个端口。可以使用多达两个片盒站来增加产量。传送腔室可以配备多种选择。用于研发的SENTECH多腔系统通过图形用户界面控制软件操作。强大的控制软件可用于工业领域高产量的多腔系统。等离子蚀刻和沉积腔体可以与多达两个片盒站组合，用于 到200 mm晶片的高产量工艺。三到六个端口传送腔室可用于集成ICP等离子刻蚀机、RIE刻蚀机、原子层沉积系统、PECVD和ICPECVD沉积设备，以满足研发的要求。样品可以通过预真空室和/或真空片盒站加载。SENTECH多腔系统包括等离子刻蚀和/或沉积腔体、传送腔室、预真空室或片盒站。传送腔室包括传送机械手臂，可适用于三至六个端口。可以使用多达两个片盒站来增加产量。传送腔室可以配备多种选择。用于研发的SENTECH多腔系统通过图形用户界面控制软件操作。强大的控制软件可用于工业领域高产量的多腔系统。高产量的多腔系统 用于研发的多腔系统 ICP-RIE等离子刻蚀腔体可与两个片盒站组合用于200mm晶片的高产量并行工艺。ICP-RIE，RIE，PECVD和ICPECVD等腔体可与预真空室，片盒站等组合使用，以满足研发的特殊要求。高产量的多腔系统 用于研发的多腔系统 ICP-RIE等离子刻蚀腔体可与两个片盒站组合用于200mm晶片的高产量并行工艺。ICP-RIE，RIE，PECVD和ICPECVD等腔体可与预真空室，片盒站等组合使用，以满足研发的特殊要求。