集成等离子刻蚀和沉积的 多腔系统
高产量 等离子蚀刻和沉积腔体可以与多达两个片盒站组合，用于 到200 mm晶片的高产量工艺。研发 三到六个端口传送腔室可用于集成ICP等离子刻蚀机、RIE刻蚀机、原子层沉积系统、PECVD和ICPECVD沉积设备，以满足研发的要求。样品可以通过预真空室和/或真空片盒站加载。SENTECH多腔系统包括等离子刻蚀和/或沉积腔体、传送腔室、预真空室或片盒站。...
- 型号
- Multi-Chamber System
- 产品分类
- / 等离子工艺设备 / 多腔系统 / 集成等离子刻蚀和沉积的多腔系统 集成等离子刻蚀和沉积的多腔系统
- 晶片/样品尺寸
- 用于 到200 mm晶片的高产量工艺
- 晶片/样品尺寸
- 用于200mm晶片的高产量并行工艺