PlasmaPro 100 PECVD 等离子体、原子层、离子束刻蚀沉积系统 - 牛津仪器
Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器。设计PECVD工艺模式的目的是要在控制薄膜性能,如折射率、应力、电学特性和湿法化学刻蚀速率的前提下,生产均匀性好且沉积速率高的薄膜
广西科米瑞实验仪器设备有限公司提供 Oxford Instruments Plasma Technology PlasmaPro 100 PECVD 等离子体、原子层、离子束刻蚀沉积系统 - 牛津仪器 产品资料、选型咨询、供货报价和售后服务支持,价格面议。
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Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器
设计PECVD工艺模式的目的是要在控制薄膜性能,如折射率、应力、电学特性和湿法化学刻蚀速率的前提下,生产均匀性好且沉积速率高的薄膜。
高质量的薄膜,高产量和出色的均匀性
电极的适用温度范围宽
兼容200mm以下所有尺寸的晶圆
可快速更换硬件以适用于不同尺寸的晶圆
成本低且易于维护
电阻丝加热电极,最高温度可达400°C或1200°C
实时监测清洗工艺,并且可自动停止工艺
| 型号 | PlasmaPro 100 PECVD 等离子体、原子层、离子束刻蚀沉积系统 - 牛津仪器 |
|---|---|
| 产品分类 | Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器 / PECVD |
| 晶圆/样品尺寸 | 适用温度范围宽 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆 可快速更换硬件以适用于不同尺寸的晶圆 成本低且易于维护 电阻丝加热电 |
| 工艺类型 | 原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津 |
| 工艺特点 | 均匀性好且沉积速率高的薄膜 |
| 工艺特点 | 高产量和出色的均匀性 电极的适用温度范围宽 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆 可快速更 |
| 工艺特点 | 实时监测清洗工艺,并且可自动停止工艺 |
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