
PlasmaPro 100 PECVD 等离子体、原子层、离子束刻蚀沉积系统 - 牛津仪器
Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器。设计PECVD工艺模式的目的是要在控制薄膜性能,如折射率、应力、电学特性和湿法化学刻蚀速率的前提下,生产均匀性好且沉积速率高的薄膜
- 型号
- PlasmaPro 100 PECVD 等离子体、原子层、离子束刻蚀沉积系统 - 牛津仪器
- 产品分类
- Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器 / PECVD
- 晶圆/样品尺寸
- 适用温度范围宽 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆 可快速更换硬件以适用于不同尺寸的晶圆 成本低且易于维护 电阻丝加热电
- 工艺类型
- 原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津


