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Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器 / ICP Etching
Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器 / ICPCVD
Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器 / Ion Beam
Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器 / Nanoscale Growth
Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器 / PECVD
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Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器。用于生长1D / 2D纳米材料和异质结构的CVD / PECVD工具。通过在线催化剂活化和严格的工艺控制，实现纳米材料的高性能生长

型号
PlasmaPro 100 Nano
产品分类
Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器 / Nanoscale Growth
工艺类型
原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津
工艺特点
均匀性以及灵活的温度范围，最高可达1200°C 700°C、800°C或1200°C
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