CVD/ALD/刻蚀工艺 Model: Qulee RGM2-201F
Qulee RGM2-201F
Model: Qulee RGM2-201F。最适合用于CVD/刻蚀/ALD过程管理。关于Model: Qulee RGM2-201F的介绍、购买、商讨。排气系统和控制系统集成，实现纵向放置，即使在空间有限的生产线上也可以进行反应气体监测，因为足迹是世界上最小的
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说明
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气体分析仪（工艺气体监测仪）
CVD/ALD/刻蚀工艺
Model: Qulee RGM2-201F
最适合用于CVD/刻蚀/ALD过程管理
关于Model: Qulee RGM2-201F的介绍、购买、商讨
排气系统和控制系统集成，实现纵向放置，即使在空间有限的生产线上也可以进行反应气体监测，因为足迹是世界上最小的。
在维护期间，灯丝套件的更换速度大大提高2名工人在10分钟内完成了120分钟的工作。
使用双灯丝，即使第一根灯丝断线，也可以在不停止生产线的情况下进行气体分析。
采用触摸屏，可以实时检查情况。
从启动到测量的操作仅在个人计算机上完成。
采用敝公司独特的带磁铁的Closed Ion Source,即使在反应性过程中也可以长时间稳定测量。
由于具有低气体解离和高灵敏度的电离室，因此仅使用法拉第杯就可以进行高灵敏度的气体分析。
一种紧凑的流道控制阀，可防止热反应引起的分解和吸附。
缩短了从工艺室到离子源的距离，可以快速响应分解。
增强预防保护功能 离子源，二次电子倍增管的预防性保护 安装分析管的可追溯性功能 (专利5016031号)
标准软件与Windows 8/10/11兼容。
CVD·ALD·Etching装置
过程中反应气体的监测
蚀刻清洗过程的端点监视器
残余气体测量
*1 备用灯丝 (FIL2) 不适用
差动排气系统
规格
| 型号 | Qulee RGM2-201F |
|---|---|
| 产品分类 | CVD/ALD/刻蚀工艺 |
| 质量数范围 (amu) | 1~200 |
| 分辨率 (M/ΔM) | M/ΔM=1M(10%P.H.) |
| 探测器 | 法拉第杯 (FC) |
| 灵敏度 (A/Pa) * 1 | 1e-5A/Pa (孔口直接引入，Ie=50uA) Ee50V时，N2气体=5e-4Pa |
| 最小检测分压 (Pa) * 1 | e-10Pa台(EE50V, Ie500uA时) |
| 全压测定功能 * 1 | 有 |
| 全压测定范围 * 1 | 1e-3~e-6 Pa台 |
| 离子源 | 带磁铁的Closed Ion Source |
| 灯丝 | Ir/Y2O32支 (其中1支为备用) |
| 电离电压 (EE;eV) | 20~70eV (Ie50uA时建议使用50V设置) |
| 发射电流 (IE;uA) | 50uA/500uA (流程测量建议使用EE50V、50uA) |
| 连接法兰 | VCR1/2"螺母等价品 |
| 规格压力 | 从0.5~30Pa/10~500Pa中选择 |
| 涡轮分子泵 | UTM70B(70L/s) |
| 前置泵 | 无 前导:KF16 工作保证正线压力:500Pa以下 用于确认正线压力的皮拉尼真空计:SW100-A |
| 装置压力监测用真空计 | 电容测量仪 “Model: CCMT ” |
| 电源电压 | 选择AC100~120V/6A, AC200~220V/3A |
| 压缩空气 | Dry N2:0.4MPa |
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