等离子体增强型CVD设备 PD-2201LC

化学气相沉积

等离子体CVD

等离子体增强型CVD设备 PD-2201LC

等离子体增强型CVD设备 PD-2201LC节省空间的生产系统

PD-2201LC 是一种盒式装载等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 设备，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。该系统在节省空间的前提下提供了PECVD的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。该系统是大规模生产用薄膜沉积的理想选择，具有优异的重复性。

主要特点和优点

最大加工范围：ø220 mm (ø3" x 5, ø4" x 3, ø8" x 1)

优异的均匀性和应力控制

卓越的工艺稳定性和可重复性

坚固的系统，最低的运行/维护成本

用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储

PD-2201LC设计时尚、节省空间，只需最小的洁净室空间

双频(13.56 MHz + 400 kHz)PECVD，用于卓越的过程控制

SiH4-SiNx

SiH4-SiO2

液体前驱体(SN-2)SiNx。