等离子体增强型CVD设备 PD-3800L
PD-3800L
PD-3800L是一种能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的锁载等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统。该系统由于采用了大型反应室，并通过载盘装载多片晶圆进行批量处理，因此产量较高
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说明
化学气相沉积
等离子体CVD
等离子体增强型CVD设备 PD-3800L
等离子体增强型CVD设备 PD-3800L批量加工设备
PD-3800L是一种能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的锁载等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统。该系统由于采用了大型反应室，并通过载盘装载多片晶圆进行批量处理，因此产量较高。在直径360mm的区域内可以沉积出具有优异的厚度均匀性和应力控制的薄膜，具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面用于参数控制和配方存储。该系统是大规模生产用薄膜沉积的理想选择，具有优异的重复性。
主要特点和优点
最大加工范围：ø360 mm (ø3" x 9, ø4" x 6, ø6" x 3)
优异的均匀性和应力控制
卓越的工艺稳定性和可重复性
坚固的系统，最低的运行/维护成本
用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。
SiH4-SiNx
SiH4-SiO2
液体前驱体(SN-2)SiNx。
TEOS-SiO2
自动传送装置(从盒式装载到ø360毫米的托架上)
规格
| 型号 | PD-3800L |
|---|---|
| 产品类别 | PECVD system |
| 技术参数 | 等离子体增强型CVD设备 PD-3800L |
| 技术参数 | 等离子体增强型CVD设备 PD-3800L批量加工设备 |
| 技术参数 | PD-3800L是一种能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的锁载等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统。该系统由于采用了大型反应室，并通过载盘装载多片晶圆进行批量处理，因此产量较高。在直径360mm的区域内可以沉积出具有优异的厚度均匀性和应力控制的薄膜，具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面用于参数控制和配方存储。该系统是大规 |
| 技术参数 | 最大加工范围：ø360 mm (ø3" x 9, ø4" x 6, ø6" x 3) |
| 技术参数 | 液体前驱体(SN-2)SiNx。 |
| 技术参数 | 自动传送装置(从盒式装载到ø360毫米的托架上) |
FAQ
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