等离子体增强型CVD设备 PD-220NL
PD-220NL
PD-220NL 是一种负载锁定等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 系统，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。该系统以非常紧凑的占地面积提供了PECVD的所有标准功能
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说明
化学气相沉积
等离子体CVD
等离子体增强型CVD设备 PD-220NL
等离子体增强型CVD设备 PD-220NL紧凑的研发用负载锁定系统
PD-220NL 是一种负载锁定等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 系统，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。该系统以非常紧凑的占地面积提供了PECVD的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。该系统是研发用薄膜沉积以及试生产的理想选择。
主要特点和优点
最大加工范围：ø220 mm (ø3" x 5, ø4" x 3, ø8" x 1)
优异的均匀性和应力控制
卓越的工艺稳定性和可重复性
坚固的系统，最低的运行/维护成本
用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。
PD-220NL设计时尚、紧凑，只需最小的洁净室空间。
双频(13.56 MHz + 400 kHz)PECVD，用于卓越的过程控制。
SiH4-SiNx SiH4-SiO2 液体前驱体(SN-2)SiNx。TEOS-SiO2
Low driving voltage Mach-Zehnder interference modulator constructed from an electro-optic polymer on ultra-thin silicon with a broadband operation
规格
| 型号 | PD-220NL |
|---|---|
| 产品类别 | PECVD system |
| 技术参数 | 等离子体增强型CVD设备 PD-220NL |
| 技术参数 | 等离子体增强型CVD设备 PD-220NL紧凑的研发用负载锁定系统 |
| 技术参数 | PD-220NL 是一种负载锁定等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 系统，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。该系统以非常紧凑的占地面积提供了PECVD的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。该系统是研发用薄膜沉积以 |
| 技术参数 | 最大加工范围：ø220 mm (ø3" x 5, ø4" x 3, ø8" x 1) |
| 技术参数 | PD-220NL设计时尚、紧凑，只需最小的洁净室空间。 |
| 技术参数 | 双频(13.56 MHz + 400 kHz)PECVD，用于卓越的过程控制。 |
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