等离子体增强型CVD设备 PD-220N
PD-220N
PD-220N是用于沉积各种硅薄膜（SiO2、Si3N4等）的等离子体CVD系统。PD-220N在提供薄膜沉积所需的全部功能的同时，占地面积比本公司的传统系统小40%
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说明
化学气相沉积
等离子体CVD
等离子体增强型CVD设备 PD-220N
等离子体增强型CVD设备 PD-220N研究开发用等离子体CVD设备
PD-220N是用于沉积各种硅薄膜（SiO2、Si3N4等）的等离子体CVD系统。PD-220N在提供薄膜沉积所需的全部功能的同时，占地面积比本公司的传统系统小40%。从尖端研究到半大规模生产，它的应用范围很广。
主要特点和优点
可在ø8英寸晶圆上沉积 尽管设计紧凑，但该系统能够在5块ø3英寸晶圆、3块ø4英寸晶圆和1块ø8英寸晶圆上同时沉积。
TEOS-SiO2成膜系统可扩展 可增加TEOS等温室装置。(这是一个选项)
各种硅基薄膜的形成 可形成氮化硅膜、氧化硅膜、非晶硅膜。
可以增加形成TEOS-SiO2薄膜的TEOS等温室装置。
规格
| 型号 | PD-220N |
|---|---|
| 产品类别 | PECVD system |
| 技术参数 | 等离子体增强型CVD设备 PD-220N |
| 技术参数 | 等离子体增强型CVD设备 PD-220N研究开发用等离子体CVD设备 |
| 技术参数 | PD-220N是用于沉积各种硅薄膜（SiO2、Si3N4等）的等离子体CVD系统。PD-220N在提供薄膜沉积所需的全部功能的同时，占地面积比本公司的传统系统小40%。从尖端研究到半大规模生产，它的应用范围很广。 |
| 技术参数 | 可在ø8英寸晶圆上沉积 尽管设计紧凑，但该系统能够在5块ø3英寸晶圆、3块ø4英寸晶圆和1块ø8英寸晶圆上同时沉积。 |
| 技术参数 | TEOS-SiO2成膜系统可扩展 可增加TEOS等温室装置。(这是一个选项) |
| 技术参数 | 可以增加形成TEOS-SiO2薄膜的TEOS等温室装置。 |
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