深硅蚀刻设备 RIE-802BCT
RIE-802BCT
RIE-802BCT是采用电感耦合等离子体作为放电形式的两个反应室的量产用硅深孔系统。标准配置有空气盒和晶圆边缘保护环，以及高精度的晶圆对准器。该高性能系统能够进行高长宽比加工（超过100）和低扇形加工，同时保持高蚀刻率和抗蚀剂选择率
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深硅蚀刻
深硅蚀刻设备 RIE-802BCT
深硅蚀刻设备 RIE-802BCT双室生产系统
RIE-802BCT是采用电感耦合等离子体作为放电形式的两个反应室的量产用硅深孔系统。
标准配置有空气盒和晶圆边缘保护环，以及高精度的晶圆对准器。
该高性能系统能够进行高长宽比加工（超过100）和低扇形加工，同时保持高蚀刻率和抗蚀剂选择率。
主要特点和优点
高宽比处理 独特的等离子体发生器和反应器结构，在保持垂直蚀刻形状的同时，实现了高宽比加工。
低扇形加工 通过高速切换气体，在保持蚀刻速度的同时，可以减少扇贝。
2003年，Samco是日本第一家获得博世工艺许可的设备制造商。从那时起，我们建立的工艺库就可以对各种形状和材料进行加工。
MEMS的制造（加速度传感器、陀螺传感器、压力传感器、执行器等）。
喷墨打印头加工
通过TSV形成通硅。
生产功率器件(超结MOSFET)
等离子切割
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