
ALD设备 AD-10P
化学气相沉积。原子层沉积(ALD)。无针孔薄膜沉积。主要特点和优点。原子层级的均匀薄膜控制。高深宽比结构的共形沉积。卓越的平面内均匀性和重复性。腔室设计侧重于最大限度地减少颗粒产生。电子设备的栅绝缘体。半导体、有机EL等的钝化膜。半导体激光器的反射面。MEMS等三维结构上的沉积。
- 型号
- AD-10P
- 产品类别
- ALD/PEALD system
- 技术参数
- ALD设备 AD-10P
- 技术参数
- ALD设备 AD-10P无针孔薄膜沉积
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化学气相沉积。原子层沉积(ALD)。无针孔薄膜沉积。主要特点和优点。原子层级的均匀薄膜控制。高深宽比结构的共形沉积。卓越的平面内均匀性和重复性。腔室设计侧重于最大限度地减少颗粒产生。电子设备的栅绝缘体。半导体、有机EL等的钝化膜。半导体激光器的反射面。MEMS等三维结构上的沉积。

低损伤等离子体增强原子层沉积(ALD)与热原子层沉积(ALD)结合在同一沉积腔室中。腔室设计侧重于最大限度地减少颗粒产生。氮化膜(AlN、SiN)的形成和低温形成的氧化膜(AlOx、SiO2)