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MinION
Portable yet powerful, MinION is ideal for labs looking for rapid results without compromise. Take your insights further afield with the real-time nanopore s...
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PromethION
Why PromethION? On-demand sequencing Run up to 2 or 24 independently addressable, high-output PromethION Flow Cells.
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PromethION 2 Integrated
Small box, big picture Integrated, high-performance compute with touchscreen control.
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PromethION 24
Sequencing to the power of 24 Production-scale Run up to 24 independent high-output PromethION Flow Cells. High-performance Superpowered GPUs for real-time i...
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GridION Q
Why GridION Q Fixed configuration Features supporting end user 21 CFR Part 11 and EU GMP Annex 11 compliance
PlasmaPro 100 ALE
Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器。为下一代半导体器件提供精确的刻蚀工艺控制。该系统专为GaN HEMT应用的凹槽刻蚀和纳米尺度层刻蚀等工艺而设计，其数字/循环刻蚀工艺可提供低损伤、光滑的表面
- 型号
- PlasmaPro 100 ALE
- 产品分类
- Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器 / ALE
- 工艺类型
- 原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津
- 工艺类型
- 原子层沉积(ALD)等效工艺 卓越的刻蚀深度控制 非常适用于纳米尺度层
PlasmaPro 100 Estrelas
Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器。若要查看此视频，请启用JavaScript，并考虑升级到支持HTML5视频的web浏览器
- 型号
- PlasmaPro 100 Estrelas
- 产品分类
- Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器 / DSiE
- 工艺类型
- 原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津
- 产品特性 2
- Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器
Ionfab 300 IBD
Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器。客户选择我们的离子束沉积产品是因为它们能够生产具有高质量，致密和表面光滑的沉积薄膜
- 型号
- Ionfab 300 IBD
- 产品分类
- Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器 / IBD
- 工艺类型
- 原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津
- 工艺类型
- 离子束沉积产品是因为它们能够生产具有高质量，致密和表面光滑的沉积薄膜
Ionfab 300 IBE
Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器。离子束刻蚀的灵活性、均匀性俱佳且应用范围广。我们的设备具有灵活的硬件选项，包括直开式、单衬底传送模式和盒式对盒式模式
- 型号
- Ionfab 300 IBE
- 产品分类
- Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器 / Ion Beam
- 工艺类型
- 原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津
- 工艺类型
- 离子束刻蚀的灵活性、均匀性俱佳且应用范围广
PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE Etch
Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器。若要查看此视频，请启用JavaScript，并考虑升级到支持HTML5视频的web浏览器
- 型号
- PlasmaPro 100 Cobra ICP RIE Etch
- 产品分类
- Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器 / ICP Etching
- 晶圆/样品尺寸
- 适用于最大尺寸为200毫米的晶圆，支持包括GaAs和InP激光光电子、SiC和GaN电力电子/射频以及
- 晶圆/样品尺寸
- 兼容 晶圆尺寸之间的快速转换 原位腔室清洁和终点控制功能
PlasmaPro 100 ICPCVD
Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器。This ICPCVD process module is designed to produce high quality films at low growth temperatures, enabled through hig...
- 型号
- PlasmaPro 100 ICPCVD
- 产品分类
- Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器 / ICPCVD
- 晶圆/样品尺寸
- 适用温度范围宽 兼容200mm以下所有尺寸的晶圆 快速更换不同尺寸晶圆 购置成本低且易于维护 紧密的设计，布局灵活 电阻丝加热电极，最高温度
- 工艺类型
- 原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津
PlasmaPro 100 Nano
Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器。用于生长1D / 2D纳米材料和异质结构的CVD / PECVD工具。通过在线催化剂活化和严格的工艺控制，实现纳米材料的高性能生长
- 型号
- PlasmaPro 100 Nano
- 产品分类
- Ald原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津仪器 / Nanoscale Growth
- 工艺类型
- 原子层沉积系统_离子束刻蚀设备_icp刻蚀系统_半导体射频器件- 牛津
- 工艺特点
- 均匀性以及灵活的温度范围，最高可达1200°C 700°C、800°C或1200°C
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