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RIE-300NR是一种理想的反应离子蚀刻系统，适用于加工ø300mm晶圆和多晶圆（ø3"×12，ø4"×8等），具有优异的均匀性。该系统的设计旨在最大限度地减少工厂空间需求，提高产量，最大限度地延长正常运行时间，并通过可靠的硬件和便捷的服务降低拥有成本
RIE-200C是在拥有丰富交货业绩的CCP RIE系统 "RIE-10NR "的基础上开发的量产型盒式装载系统。该系统可对Si、Poly-Si、SiO₂、SiN等各种硅薄膜进行高精度蚀刻和灰化
RIE-10NR是一种新型的低成本、高性能的全自动反应离子蚀刻系统，它能满足非腐蚀性气体化学最苛刻的工艺要求。计算机化的触摸屏为参数控制和存储提供了一个用户友好的界面
RIE-200NL是一种负载锁定型的反应离子蚀刻系统，它提高了工艺的可重复性，并允许腐蚀性气体化学。完全优化的工艺室设计可在ø8 "晶圆或ø220mm小晶圆的载盘上提供优异的均匀性
RIE-400iPB是一款电感耦合等离子体放电设备，用于博世MEMS和电子元件工艺中的高速硅深孔加工。RIE-800iPB是为研究和开发目的而改装的。该系统由Robert Bosch GmbH（德国）授权，能够对MEMS和TSV所需的硅进行高速和高各向异性蚀刻
RIE-800BCT是使用电感耦合等离子体作为放电形式的生产型硅DRIE系统。这种高性能系统能够进行高纵横比处理（超过100）和低扇形处理，同时保持高蚀刻率和选择性
Samco 的 RIE-800iPB 是一种高性能的电感耦合等离子体 (ICP) 蚀刻系统，使用高密度等离子体进行 MEMS 和 TSV 应用所需的深度硅蚀刻。RIE-800iPB是专为Bosch工艺设计的专用硅蚀刻系统（由Robert Bosch GmbH授权）
RIE-802BCT是采用电感耦合等离子体作为放电形式的两个反应室的量产用硅深孔系统。标准配置有空气盒和晶圆边缘保护环，以及高精度的晶圆对准器。该高性能系统能够进行高长宽比加工（超过100）和低扇形加工，同时保持高蚀刻率和抗蚀剂选择率
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