
ULTRATOM: OPEN, MODULAR LABORATORY X-RAY CT SCANNER
Run in-situ experiments and R&D with the UltraTom: open system, up to 3 micro & nano sources, parts up to 100 kg. Low maintenance. Book a demo today.
显微镜、成像系统、光学平台与光学测量设备
材料表征、热分析、力学、粒度、表面和物性测试设备
没有找到合适型号?
提交选型需求
Run in-situ experiments and R&D with the UltraTom: open system, up to 3 micro & nano sources, parts up to 100 kg. Low maintenance. Book a demo today.

Metrology Series: VDI/VDE 2630 certified CT scanners for dimensional metrology. GD&T, CAD comparison, internal measurement. Request a quote.

Bring CT inspection to the shopfloor with the FAB Series: robust, automated 24/7, VisionAI, OPC UA integration to ensure 24/7 uptime. Book a demo today.

化学气相沉积。原子层沉积(ALD)。无针孔薄膜沉积。主要特点和优点。原子层级的均匀薄膜控制。高深宽比结构的共形沉积。卓越的平面内均匀性和重复性。腔室设计侧重于最大限度地减少颗粒产生。电子设备的栅绝缘体。半导体、有机EL等的钝化膜。半导体激光器的反射面。MEMS等三维结构上的沉积。

低损伤等离子体增强原子层沉积(ALD)与热原子层沉积(ALD)结合在同一沉积腔室中。腔室设计侧重于最大限度地减少颗粒产生。氮化膜(AlN、SiN)的形成和低温形成的氧化膜(AlOx、SiO2)

PD-100ST是一种用于研发的低温(80 ~ 400°C)、高速(>300 nm/min)等离子体增强CVD系统。Samco独特的液态源CVD系统采用自偏置沉积技术和液态TEOS源,以低应力沉积SiO2薄膜,从薄膜到极厚的薄膜(高达100 µm)

负载锁定系统,最大可达Ø200毫米(8")。PD-200STL是一种用于研发的低温(80~400℃)、高速(>300nm/min)等离子体增强型CVD系统。Samco独特的液态源CVD系统采用自偏置沉积技术和液态TEOS源,以低应力沉积SiO2薄膜,从薄膜到极厚的薄膜(高达100μm)

低应力薄膜的高速(>300nm/min)沉积。PD-270STLC是一种低温(80 ~ 400°C)、高速(>300 nm/min)的等离子体增强CVD系统,可用于大规模生产
沉积物高达 ø300 mm (12")。PD-330STC是一种低温(80 ~ 400°C)、高速(>300 nm/min)的等离子体增强CVD系统,可用于大规模生产

PD-2201LC 是一种盒式装载等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 设备,能够沉积硅基薄膜(氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅)。该系统在节省空间的前提下提供了PECVD的所有标准功能

PD-220N是用于沉积各种硅薄膜(SiO2、Si3N4等)的等离子体CVD系统。PD-220N在提供薄膜沉积所需的全部功能的同时,占地面积比本公司的传统系统小40%

PD-220NL 是一种负载锁定等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 系统,能够沉积硅基薄膜(氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅)。该系统以非常紧凑的占地面积提供了PECVD的所有标准功能
第 612 / 947 页