等离子体增强型CVD设备 PD-3800L
PD-3800L是一种能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的锁载等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统。该系统由于采用了大型反应室，并通过载盘装载多片晶圆进行批量处理，因此产量较高
- 型号
- PD-3800L
- 产品类别
- PECVD system
- 技术参数
- 等离子体增强型CVD设备 PD-3800L
- 技术参数
- 等离子体增强型CVD设备 PD-3800L批量加工设备
紧凑型蚀刻机 RIE-1C
紧凑型台式设备。RIE-1C是用于半导体芯片故障分析的小型台式干式蚀刻系统。可以高效、低损伤地去除钝化膜。它操作简单，样品放置后只需按一下按钮就可以完成整个过程。可以放在桌面上，也可以选择专用支架。主要特点和优点。可处理的样品最大为ø4"。只需一键操作，就能完成设备的操作。设计紧凑，节省空间。半导体芯片的故障分析...
- 型号
- RIE-1C
- 产品类别
- plasma etching system
- 技术参数
- 紧凑型蚀刻机 RIE-1C
- 技术参数
- 紧凑型蚀刻机 RIE-1C紧凑型台式设备
RIE Plasma Etching System RIE-10NR
反应离子刻蚀。Novel low-cost and high-performance。The RIE-10NR is a novel low-cost, high-performance, fully automatic reactive ion etching system which meets the mo...
- 型号
- RIE Plasma
- 产品类别
- plasma etching system
- 技术参数
- Processing up to ø220 mm (ø3” x 5, ø4” x 3, ø8” x 1)
RIE Plasma Etching System RIE-200NL
反应离子刻蚀。Excellent repeatability & stability。The RIE-200NL is a loadlock type reactive ion etching system that improves process repeatability and allows for co...
- 型号
- RIE Plasma
- 产品类别
- plasma etching system
- 技术参数
- The RIE-200NL is a loadlock type reactive ion etching system that improves process repeatability and allows for corrosive gas chemistry. A fully optimized process chamber design pr
- 技术参数
- Processing up to ø220 mm (ø3” x 5, ø4” x 3, ø8” x 1)
ø300 mm RIE Plasma Etching System RIE-300NR
反应离子刻蚀。Up to �300 mm (�12")。The RIE-300NR is an ideal reactive ion etching system for processing of ø300 mm wafer and multiple wafers (ø3" x 12, ø4" x 8,...
- 型号
- RIE Plasma
- 产品类别
- plasma etching system
- 技术参数
- ø300 mm RIE Plasma Etching System RIE-300NR
- 技术参数
- ø300 mm RIE Plasma Etching System RIE-300NRUp to �300 mm (�12")
Cassette Loading RIE Plasma Etching System RIE-200C
反应离子刻蚀。High throughput system。The RIE-200C is a cassette type system for mass production, developed based on our experience with the CCP RIE system "RIE-10NR...
- 型号
- ading
- 产品类别
- plasma etching system
- 技术参数
- Cassette Loading RIE Plasma Etching System RIE-200C
- 技术参数
- Cassette Loading RIE Plasma Etching System RIE-200CHigh throughput system
ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-230iP
RIE-230iP是以电感耦合等离子体为放电方式，高速进行各种材料的超精细加工的负载锁定型ICP蚀刻系统。该系统通过采用独特的龙卷风式线圈电极，高效地产生稳定的高密度等离子体，可对硅及各种金属薄膜和化合物半导体进行高精度的各向异性蚀刻
- 型号
- RIE-230iP
- 产品类别
- plasma etching system
- 技术参数
- ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-230iP
- 技术参数
- ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-230iP多功能负载锁设备
ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-230iPC
RIE-230iPC是以电感耦合等离子体为放电方式，高速进行各种材料的超精细加工的盒式ICP蚀刻系统。该系统通过采用独特的龙卷风式线圈电极，高效地产生稳定的高密度等离子体，实现了对硅、各种金属薄膜和化合物半导体的高精度各向异性蚀刻
- 型号
- RIE-230iPC
- 产品类别
- plasma etching system
- 技术参数
- ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-230iPC
- 技术参数
- ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-230iPC量产设备
ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-350iPC
RIE-350iPC是一种盒式装载电感耦合等离子体(ICP)蚀刻设备，可处理多达ø350毫米的载盘，用于多晶圆批量处理。该系统为各种蚀刻应用提供了坚固可靠的硬件和卓越的工艺控制，具有较高的生产率，如功率器件、微型LED、VCSEL、LD、电容器和射频滤波器
- 型号
- RIE-350iPC
- 产品类别
- plasma etching system
- 技术参数
- ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-350iPC
- 技术参数
- ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-350iPC最大ø350毫米的托架
ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-400iP
for III-V semiconductors (GaN, GaAs, InP)。RIE-400iP是用于ø4 "晶圆的负载锁定型蚀刻系统，可对各种半导体和绝缘膜进行高精度、高均匀性加工
- 型号
- RIE-400iP
- 产品类别
- plasma etching system
- 技术参数
- ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-400iP
- 技术参数
- ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-400iPfor III-V semiconductors (GaN, GaAs, InP)
ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-400iPC
高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一个具有优良工艺重复性和稳定性的全规模生产系统。该系统是直径4英寸等小直径晶圆的专用系统，可以在最小的洁净室空间内安装
- 型号
- RIE-400iPC
- 产品类别
- plasma etching system
- 技术参数
- ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-400iPC
- 技术参数
- ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-400iPC节省空间的生产设备
ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-800iP
高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一套完整的生产系统，具有优良的工艺重复性和稳定性。新的ICP源 "HSTC™: Hyper Symmetrical Tornado Coil"
- 型号
- RIE-800iP
- 产品类别
- plasma etching system
- 技术参数
- ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-800iP
- 技术参数
- ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-800iP卓越的重复性和稳定性
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