
Raith CHIPSCANNER - Large-area 3D SEM imaging
Fully automated image acquisition。:Active focus control。:Field-of-view corrections for artefact-free stitching
- 技术参数
- 1 nm accurate positioning through Laser-Interferometer-Stage
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Fully automated image acquisition。:Active focus control。:Field-of-view corrections for artefact-free stitching

Advanced design software HoloSuite simplifies creation of complex patterns and accelerates data transfer and exposure

Highly ergonomic human-machine interface。:50 kV thermal field emission column technology

Unique multi-ion-species FIB technology (IonSelect)。:Vertically mounted FIB column and horizontal 4-inch laser interferometer stage

The EasyTom S: a compact, powerful X-ray CT scanner for small to mid-size parts. Up to 2 µm resolution, fast ROI, metrology-ready. Request your quote.

Combine micro and nano CT in a single machine with the EasyTom L: up to 0.25 µm and 300 kV, large scan volume. Ideal for industry & academic research. Book a...

化学气相沉积。原子层沉积(ALD)。无针孔薄膜沉积。主要特点和优点。原子层级的均匀薄膜控制。高深宽比结构的共形沉积。卓越的平面内均匀性和重复性。腔室设计侧重于最大限度地减少颗粒产生。电子设备的栅绝缘体。半导体、有机EL等的钝化膜。半导体激光器的反射面。MEMS等三维结构上的沉积。

低损伤等离子体增强原子层沉积(ALD)与热原子层沉积(ALD)结合在同一沉积腔室中。腔室设计侧重于最大限度地减少颗粒产生。氮化膜(AlN、SiN)的形成和低温形成的氧化膜(AlOx、SiO2)

PD-2201LC 是一种盒式装载等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 设备,能够沉积硅基薄膜(氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅)。该系统在节省空间的前提下提供了PECVD的所有标准功能

PD-220N是用于沉积各种硅薄膜(SiO2、Si3N4等)的等离子体CVD系统。PD-220N在提供薄膜沉积所需的全部功能的同时,占地面积比本公司的传统系统小40%

PD-220NL 是一种负载锁定等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 系统,能够沉积硅基薄膜(氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅)。该系统以非常紧凑的占地面积提供了PECVD的所有标准功能

PD-3800L是一种能够沉积硅基薄膜(氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅)的锁载等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统。该系统由于采用了大型反应室,并通过载盘装载多片晶圆进行批量处理,因此产量较高

紧凑型台式设备。RIE-1C是用于半导体芯片故障分析的小型台式干式蚀刻系统。可以高效、低损伤地去除钝化膜。它操作简单,样品放置后只需按一下按钮就可以完成整个过程。可以放在桌面上,也可以选择专用支架。主要特点和优点。可处理的样品最大为ø4"。只需一键操作,就能完成设备的操作。设计紧凑,节省空间。半导体芯片的故障分析...
反应离子刻蚀。Novel low-cost and high-performance。The RIE-10NR is a novel low-cost, high-performance, fully automatic reactive ion etching system which meets the mo...
反应离子刻蚀。Excellent repeatability & stability。The RIE-200NL is a loadlock type reactive ion etching system that improves process repeatability and allows for co...
反应离子刻蚀。Up to �300 mm (�12")。The RIE-300NR is an ideal reactive ion etching system for processing of ø300 mm wafer and multiple wafers (ø3" x 12, ø4" x 8,...

反应离子刻蚀。High throughput system。The RIE-200C is a cassette type system for mass production, developed based on our experience with the CCP RIE system "RIE-10NR...

RIE-230iP是以电感耦合等离子体为放电方式,高速进行各种材料的超精细加工的负载锁定型ICP蚀刻系统。该系统通过采用独特的龙卷风式线圈电极,高效地产生稳定的高密度等离子体,可对硅及各种金属薄膜和化合物半导体进行高精度的各向异性蚀刻

RIE-230iPC是以电感耦合等离子体为放电方式,高速进行各种材料的超精细加工的盒式ICP蚀刻系统。该系统通过采用独特的龙卷风式线圈电极,高效地产生稳定的高密度等离子体,实现了对硅、各种金属薄膜和化合物半导体的高精度各向异性蚀刻

RIE-350iPC是一种盒式装载电感耦合等离子体(ICP)蚀刻设备,可处理多达ø350毫米的载盘,用于多晶圆批量处理。该系统为各种蚀刻应用提供了坚固可靠的硬件和卓越的工艺控制,具有较高的生产率,如功率器件、微型LED、VCSEL、LD、电容器和射频滤波器

for III-V semiconductors (GaN, GaAs, InP)。RIE-400iP是用于ø4 "晶圆的负载锁定型蚀刻系统,可对各种半导体和绝缘膜进行高精度、高均匀性加工

高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室,是一个具有优良工艺重复性和稳定性的全规模生产系统。该系统是直径4英寸等小直径晶圆的专用系统,可以在最小的洁净室空间内安装

高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室,是一套完整的生产系统,具有优良的工艺重复性和稳定性。新的ICP源 "HSTC™: Hyper Symmetrical Tornado Coil"

Excellent process repeatability and stability。高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室,是一套完整的生产系统,具有优良的工艺重复性和稳定性
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